​英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现，在展台上留下亲笔签名

英伟达黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现，在展台上留下亲笔签名

IT 之家 3 月 23 日消息，三星电子美国分公司负责人韩进万（Han Jin-man）近日发布 LinkedIn 动态，分享了两张图片，英伟达首席执行官黄仁勋参观三星 GTC 2024 展台时，在 HBM3E 12H 上留下了亲笔签名。

图源：韩进万   LinkedIn   动态

黄仁勋在宣传 "HBM3E 12H" 产品卡片上，亲笔签下了 "JENSEN APPROVED" 的字样。三星的 HBM3E 12H 是业界首款 12 层堆叠产品，英伟达目前正在对该产品进行验证测试。

而在该照片发布之前，黄仁勋在吹风会中表示：" 三星是一家非常非常优秀的公司，英伟达已经开始验证三星的 HBM 内存芯片，并考虑在未来下单采购 "。

韩进万还在社交媒体上分享了一张照片，展示了黄仁勋在参观三星展台后和三星工作人员的合影照片。

图源：韩进万   LinkedIn   动态

黄仁勋并未正面表达亲笔签名的态度和确切含义，但业界猜测这反映了他对 HBM3E 的高度期望。

黄仁勋将 HBM 称为 " 技术奇迹 "（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。

IT 之家此前报道，三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。

据介绍，HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前 HBM 封装的要求。

因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米（µ m），同时消除了层与层之间的空隙。

这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。